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扭矩传感器的安装规则 一般规定 1 各类传感器的安装位置应安装在能正确反映其性能的位置，便于调试和维护的地方。 2 水管型温度传感器、蒸汽压力传感器、水管压力传感器、水流开关、水管流量计不宜安装在管道焊缝及其边缘上开孔焊接。 3 风管型温、湿度传感器、室内温度传感器、压力传感器、空气质量传感器避开蒸汽放空口及出风口处。 4 管型温度传感器、水管型压力传感器、蒸汽压力传感器、水流开关的安装应在工艺管道安装同时进行。 5 风管压力、温度、湿度、空气质量、空气速度、压差开关的安装应在风管保完成之后。 6 水管型压力、压差、蒸汽压力传感器 、水流开关、水管流量计的开孔与焊接工作，必须在工艺管道的防腐、衬里、吹扫和压力试验前进行。半导体传感器的发展可以分为四个期间现代压力传感器以半导体传感器的发明为象征，而半导体传感器的发展可以分为四个期间： （1） 发明期间（1945 - 1960 年）：这个期间首要是以1947 年双极性晶体管的发明为象征。此后，半导体材料的这一特性得到较广泛应用。史密斯（C.S. Smith） 与1945 发现了硅与锗的压阻效应，即当有外力作用于半导体材料时，其电阻将明显发生变化。依据此原理制成的压力传感器是把应变电阻片粘在金属薄膜上，即将力信号转化为电信号进行测量。此期间**小尺寸大约为1cm。 （2） 技术发展期间（1960 - 1970 年） ：随着硅分散技术的发展，技术人员在硅的（001） 或（110） 晶面选择合适的晶向直接把应变电阻分散在晶面上，然后在背面加工成凹形，形成较薄的硅弹性膜片，称为硅杯。这种形式的硅杯传感器具有体积小、重量轻、灵敏度高、稳定性好、成本低、便于集成化的优点，实现了金属- 硅共晶体，为商业化发展提供了可能。 （3） 商业化集成加工期间（1970 - 1980 年） ：在硅杯分散理论的基础上应用了硅的各向异性的腐蚀技术，分散硅传感器其加工技术以硅的各项异性腐蚀技术为主，发展变成可以自动控制硅膜厚度的硅各向异性加工技术，首要有V 形槽法、浓硼自动中止法、阳极氧化法自动中止法和微机控制自动中止法。因为可以在多个表面同时进行腐蚀，数千个硅压力膜可以同时生产，实现了集成化的工厂加工模式，成本进一步降低。 （4） 微机械加工期间（1980 年-） ：上世纪末出现的纳米技术，使得微机械加工技术变成可能。通过微机械加工技术可以由计算机控制加工出结构型的压力传感器，其线度可以控制在微米级范围内。利用这一技术可以加工、蚀刻微米级的沟、条、膜，使得压力传感器进入了微米期间。常州力矩传感器厂家-瑞尔特测控-常州力矩传感器批发由常州瑞尔特测控系统有限公司(www.rightlc.com)提供。